NTMFS10N7D2C — це потужний одноканальний N-канальний MOSFET-транзистор (поліровий транзистор з ізольованим закривом) виробництва компанії onsemi [1, 2]. Він виготовлений за фірмовою технологією PowerTrench з використанням екранованого закрива (Shielded Gate), що дає змогу знизити опір відкритого каналу та мінімізувати рівень електромагнітних перешкод (EMI).
Ключові технічні характеристики
Нижче наведені основні електричні параметри транзистори згідно з офіційною документації (dataasheet) виробника onsemi: [1, 2]
- Тип каналу: N-канал (N-Channel) [1]
- Максимальна напруга стік-висток (\(V_549DSS641/))): 100 В [1]
- Максимальний безперервний струм стоку (\(I_549D64))): 78 А (За температури корпусу/(T_C = 25^/circ/text34Cultion/)) [1, 2]
- Опір відкритого каналу (\(R_549DS(on) Pros))):
- Макс. 7.2 мОм за напруги затвора/(V_54GSction = 10/text34t/) (ток/(I_D = 28/text547 Аction/))
- Макс. 23.4 мОм за напруги затвора/(V_54GSction = 6/text349/) (ток/(I_D = 14/text547 Аction/)) [1]
- Максимальна напруга затвор-висток (\(V_544GSction8/))): ±20 В [1]
- Максимальна розсіювана потужність (\(P_549D64))): 83 Вт [1]
- Тип корпусу: 8-PQFN / DFN5 / SO-8FL (поверхневий монтаж, габарити майданчика 5 × 6 мм). [1, 2]
Основні переваги та особливості
- Низький заряд зворотного відновлення (\(Q_54891))): знижений на 50% проти стандартних аналогів, що забезпечує м'яку роботу вбудованого діода та зменшує комутаційний шум.
- Стійкість до бурхливого проб'ю: компонент проходить 100% тестування на одиничний імпульс водяного пробою (100% UIL Tested).
- Міцний корпус: рівень вологості чутливості MSL1 гарантує надійність під час паяння. [1]
Сфери застосування
Завдяки високій ефективності та низьким втратам на провідність, транзистор оптимізований для: [1]
- Схем синхронного випрямлення
- DC-DC перетворювачів високої потужності
- Системи керування електродвигунами (включно з дронами й електроінструментами)
- Контролерів BMS і розумних зарядних пристроїв для акумуляторних батарей [1]
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | DSS |
- Ціна: 62 ₴

