SIHG47N60E Найменування приладу: SIHG47N60EF
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Pd ⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 379 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 47 A
Tj ⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qg ⓘ - Загальний заряд затвора: 152 nC
tr ⓘ - Час наростання: 56 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 220 pf
Rds ⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.065 Ohm
Тип корпусу: TO-247AC
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Pd ⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 379 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 47 A
Tj ⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qg ⓘ - Загальний заряд затвора: 152 nC
tr ⓘ - Час наростання: 56 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 220 pf
Rds ⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.065 Ohm
Тип корпусу: TO-247AC
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 104 ₴

