Найменування приладу: TPC8107
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: P
Pd ⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 13 A
Tj ⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qg ⓘ - Загальний заряд затвора: 130 nC
tr ⓘ - Час наростання: 11 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 1050 pf
Rds ⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.007 Ohm
Тип корпусу: SOP8
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: P
Pd ⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 13 A
Tj ⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qg ⓘ - Загальний заряд затвора: 130 nC
tr ⓘ - Час наростання: 11 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 1050 pf
Rds ⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.007 Ohm
Тип корпусу: SOP8
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 21 ₴