Найменування приладу: CEP75N06
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 200 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 87 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 175 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 67.9 nC
trⓘ - Час наростання: 5.5 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 735 pf
Rdsⓘ - Опір стік-виток відкритого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпусу: TO220
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
- Ціна: 35 ₴
