Найменування приладу: TK56E12N1
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 168 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 56 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 69 nC
trⓘ - Час наростання: 20 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 650 pf
Rdsⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.007 Ohm
Тип корпусу: TO-220
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 168 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 56 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 69 nC
trⓘ - Час наростання: 20 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 650 pf
Rdsⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.007 Ohm
Тип корпусу: TO-220
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 60 ₴