Найменування приладу: TK58E06N1
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 110 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 58 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 46 nC
trⓘ - Час наростання: 11 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 1120 pf
Rdsⓘ - Опір стік-виток відкритого транзистора: 0.0054 Ohm
Тип корпусу: TO-220
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
- Ціна: 55 ₴