Найменування приладу: NCE60P25K
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: P
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 38.5 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 25 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 26 nC
trⓘ - Час наростання: 9 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 130 pf
Rdsⓘ - Опір стік-виток відкритого транзистора: 0.06 (typ) Ohm
Тип корпусу: TO252
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: P
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 38.5 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 25 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 26 nC
trⓘ - Час наростання: 9 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 130 pf
Rdsⓘ - Опір стік-виток відкритого транзистора: 0.06 (typ) Ohm
Тип корпусу: TO252
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 20 ₴

