Найменування приладу: NCE55P30K
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: P
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 65 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 30 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 175 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 56 nC
trⓘ - Час наростання: 15 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 240 pf
Rdsⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.04 Ohm
Тип корпусу: TO252
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: P
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 65 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 30 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 175 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 56 nC
trⓘ - Час наростання: 15 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 240 pf
Rdsⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.04 Ohm
Тип корпусу: TO252
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 17 ₴