Найменування приладу: IRFP32N50K
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 460 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 32 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 190 nC
trⓘ - Час наростання: 120 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 550 pf
Rdsⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.16 Ohm
Тип корпусу: TO247AC
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 460 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 32 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 190 nC
trⓘ - Час наростання: 120 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 550 pf
Rdsⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.16 Ohm
Тип корпусу: TO247AC
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 84 ₴