Найменування приладу: FDA59N30
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 500 W
Гранично допустима напруга стик-висток Uds : 300 V
Гранично допустима напруга затвор-висток Ugs : 30 V
Порогова напруга ввімкнення Ugs(th) : 5 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id : 59 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 77 nC
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.056 Ohm
Тип корпусу: TO3PN
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 500 W
Гранично допустима напруга стик-висток Uds : 300 V
Гранично допустима напруга затвор-висток Ugs : 30 V
Порогова напруга ввімкнення Ugs(th) : 5 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id : 59 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 77 nC
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.056 Ohm
Тип корпусу: TO3PN
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 72 ₴

