Найменування: JNG60T60HS
Тип транзизора: IGBT + Diode
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 329
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 30
Максимальний постійний струм колектора Ic @25 °C, A: 110
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 2.05
Максимальна порогова напруга затвор-емітер VGE(th), V: 6.5
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типове (tr), nS: 343
Місткість колектора типова (Cc), pf: 188
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 107.4
Тип корпусу: TO247
Тип транзизора: IGBT + Diode
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 329
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 30
Максимальний постійний струм колектора Ic @25 °C, A: 110
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 2.05
Максимальна порогова напруга затвор-емітер VGE(th), V: 6.5
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типове (tr), nS: 343
Місткість колектора типова (Cc), pf: 188
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 107.4
Тип корпусу: TO247
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | SAT |
Інформація для замовлення
- Ціна: 147 ₴