Найменування: GT50J322
Тип транзизора: IGBT + Diode
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 130
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 20
Максимальний постійний струм колектора Ic @25 °C, A: 50
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 2.1
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типовий (tr), nS: 200
Тип корпусу: TO264
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | Toshiba |
Інформація для замовлення
- Ціна: 179 ₴