Найменування приладу: NTMFS4C08N
Маркування: 4C08N
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 0.76 W
Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 30 V
Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 20 V
Порога напруга увімкнення ⁇ Ugs(th) ⁇ : 2.1 V
Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 9 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 8.4 nC
Час наростання (tr): 33 ns
Вихідна ємність (Cd): 702 pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.0058 Ohm
Тип корпусу: SO-8FL
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
- Ціна: 33 ₴