Найменування: JNG50N120LS
Тип транзизора: IGBT + Diode
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 520
Гранично-допустима напруга колектор-емітер ⁇ Vce", V: 1200
Максимально допустима напруга іміттер-закрива ⁇ Vge ⁇, V: 30
Максимальний постійний струм колектора ⁇ Ic ⁇ @25 °C, A: 100
Напруга насичення колектор-емітер типова ⁇ VCE(sat) ⁇, V: 2.1
Максимальна порогова напруга затвор-емітер ⁇ VGE(th) ⁇, V: 6
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типова (tr), nS: 95
Місткість колектора типова (Cc), pf: 360
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 340
Тип корпусу: TO264
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | SAT |
- Ціна: 198 ₴
