Найменування приладу: IPD50P04P4L-11
Маркування: 4P04L11
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: P
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 58 W
Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 40 V
Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 16 V
Порога напруга увімкнення ⁇ Ugs(th) ⁇ : 2.2 V
Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 50 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 45 nC
Час наростання (tr): 9 ns
Вихідна ємність (Cd): 1100 pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.0106 Ohm
Тип корпусу: TO252
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 36 ₴