Найменування приладу: IRF5210
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: P
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 200 W
Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 100 V
Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 20 V
Порога напруга увімкнення ⁇ Ugs(th) ⁇ : 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 40 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 180 (max) nC
Час наростання (tr): 86 ns
Вихідна ємність (Cd): 790 pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.06 Ohm
Тип корпусу: TO220AB
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 36 ₴