Найменування приладу: APM2558NU
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Pd ⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 50 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга увімкнення: 2.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 60 A
Tj ⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qg ⓘ - Загальний заряд затвора: 22.5 nC
tr ⓘ - Час наростання: 12 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 400 pf
Rds ⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.0057 Ohm
Тип корпусу: TO252
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Pd ⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 50 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга увімкнення: 2.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 60 A
Tj ⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qg ⓘ - Загальний заряд затвора: 22.5 nC
tr ⓘ - Час наростання: 12 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 400 pf
Rds ⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.0057 Ohm
Тип корпусу: TO252
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 32 ₴