Найменування приладу: HY3210P
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 237 W
Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 100 V
Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 25 V
Порога напруга увімкнення ⁇ Ugs(th) ⁇ : 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 120 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 120 nC
Час наростання (tr): 35 ns
Вихідна ємність (Cd): 902 pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220FB
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
- Ціна: 36 ₴