Найменування приладу: AP4506GEH
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: NP
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 3.1 W
Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 30 V
Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 20 V
Порога напруга увімкнення ⁇ Ugs(th) ⁇ : 3 V
Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 9(8) A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Час наростання (tr): 18 (16) ns
Вихідна ємність (Cd): 100(220) pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.024(0.036) Ohm
Тип корпуса: TO252-4L
|
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 22 ₴