Найменування приладу: SI2302DS-T1-GE3
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 1.25 W
Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 20 V
Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 12 V
Порога напруга увімкнення ⁇ Ugs(th) ⁇ : 1 V
Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 5 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 12 nC
Час наростання (tr): 17 ns
Вихідна ємність (Cd): 105 pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.028 (typ) Ohm
Тип корпусу: SOT23
Аналог (заміна) для SI2302DS-T1-GE3
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 6 ₴