Найменування приладу: PHD108NQ03LT
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 180 W
Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 25 V
Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 20 V
Порога напруга увімкнення ⁇ Ugs(th) ⁇ : 2 V
Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 75 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Час наростання (tr): 102 ns
Вихідна ємність (Cd): 580 pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.0075 Ohm
Тип корпусу: DPAK
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 38 ₴