Маркування: 4N04R8
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 429 W
Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 40 V
Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 20 V
Порога напруга увімкнення ⁇ Ugs(th) ⁇ : 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 300 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 221 nC
Час наростання (tr): 22 ns
Вихідна ємність (Cd): 3790 pf
Опір стік-виток відкритого транзистора (Rds): 0.00077 Ohm
Тип корпуса: H-PSOF-8-1
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
- Ціна: 81 ₴