CSD86330Q3D
Найменування приладу: CSD86330Q3D
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність (Pd): 6 W
Гранично допустима напруга стик-висток Uds : 25 V
Гранично допустима напруга затвор-висток Ugs : 8 V
Порога напруга увімкнення Ugs(th) : 1.4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id : 20 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 4.8 nC
Час наростання (tr): 7.5 ns
Вихідна ємність (Cd): 350 pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.0088 Ohm
Тип корпуса: SON3.3X3.3
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 80 ₴