CEP60N10
Наименование прибора: CEP60N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 57 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 440 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
Тип корпуса: TO220
Інформація для замовлення
- Ціна: 31 ₴