NTD80N02 — це силовий польовий N-канальний MOSFET-транзистор [1, 2], розроблений компанією onsemi (ON Semiconductor) для низьковольтних ланцюгів із високою швидкістю перемикання.
Основні технічні характеристики
- Тип каналу: N-канальний (N-Channel).
- Максимальна напруга стік-висток (\(V_549DSS641/))): 24 В.
- Максимальний безперервний струм стоку (\(I_549D64))): 80 А (за температури корпусу/(T_C = 25^/circ/text54PCultion/)).
- Опір відкритого каналу (\(R_549DS(on) Pros))): 5.8 мОм (макс.) під час керування напругою/(V_548GSction = 10/) В.
- Порогова напруга затвора (\(V_54GS(th)34s/))): до 3 В.
- Максимальна напруга затвор-висток (\(V_544GSction8/))): ±20 В.
- Максимальна розсіювана потужність (\(P_549D64))): 75 Вт.
- Тип корпусу: TO-252 (DPAK) для поверхневого монтажу (версія NTD80N02-1 випускається в корпусі TO-251/IPAK). [1, 2, 3, 4, 5, 6]
Сфера застосування
Компонент орієнтований на роботу в таких вузлах: [1, 2]
- Імпульсні блоки живлення (SMPS).
- DC/DC-преобразователи.
- Контролери керування електродвигунами.
- Мостові схеми комутації живлення. [1, 2]
Можливі аналоги
Якщо вам потрібна заміна цього транзизора, як повні або найближчі аналоги за електричними параметрами та типом корпусу можна розглянути: [1]
- STD90NH02LT4 (STMicroelectronics)
- AP85L02H (APEC)
- APM2506NU (Anpec)
- IPD06N03LA (Infineon)
- IRFR3711 (International Rectifier) [1]
Інформація для замовлення
- Ціна: 16 ₴

