Найменування приладу: IXTH75N15
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 330 W
Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 150 V
Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 20 V
Порога напруга увімкнення ⁇ Ugs(th) ⁇ : 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 75 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 210 nC
Опір стік-виток відкритого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Тип корпусу: TO247
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 176 ₴