IRFD014
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 1.3 W
Гранично допустима напруга стик-висток (Uds): 60 V
Гранично допустима напруга закрив-висток (Ugs): 10 V
Порогова напруга вмикання Ugs (th): 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 1.7 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.2 Ohm
Тип корпуса: HEXDIP
Інформація для замовлення
- Ціна: 68 ₴