SDB55N03L
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність (Pd): 85 W
Гранично допустима напруга стік-висток (Uds): 25 V
Гранично допустима напруга затвор-висток (Ugs): 15 V
Порогова напруга вмикання Ugs (th): 2 V
Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 55 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Час наростання (tr): 45 ns
Вихідна ємність (Cd): 340 pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Інформація для замовлення
- Ціна: 23 ₴