Матеріал p-n-переходу: Si
Структура транзизора: PNP
Гранична постійна розсіювана потужність колектора (Pc) транзистора: 60 W
Гранична постійна напруга колектор-база (Ucb): 0 V
Гранична постійна напруга колектор-емітер (Uce) транзистора: 50 V
Гранична постійна напруга імітатор-база (Ueb): 0 V
Граничний постійний струм колектора транзизора (Ic max): 12 A
Гранична температура p-n переходу (Tj): 175 C
Гранична частота коефіцієнта передавання струму (Ft) транзистори: MHz
Місткість колекторного переходу (Cc): pF
Статичний коефіцієнт передавання струму в схемі із загальним імітером (Hfe), min: 50
Корпус: TO3-P
- Ціна: 74 ₴