DXG75N65HS — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), выпускаемый компанией Daxin Semiconductor. Он предназначен для работы в высоковольтных цепях с токами до 75 А и часто используется в сварочных инверторах, солнечных панелях и системах управления двигателями.
Основные технические характеристики
- Тип транзистора: IGBT со встроенным быстродействующим диодом.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер : 650 В.
- Максимальный ток коллектора : 75 А (при ) или до 150 А в импульсном режиме.
- Напряжение насыщения : Типовое значение — 1.1 В.
- Максимальная рассеиваемая мощность : 484 Вт.
- Напряжение затвор-эмиттер : ±20 В.
- Тип корпуса: TO-247 (стандартный для мощных компонентов, обеспечивающий хороший теплоотвод).
- Диапазон рабочих температур: от -40°C до +175°C.
Информация для заказа
- Цена: 168 ₴

