Найменування приладу: AO4409
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: P
Pd ⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 2.7 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 15 A
Tj ⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qg ⓘ - Загальний заряд затвора: 51.5 nC
tr ⓘ - Час наростання: 16.5 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 945 pf
Rds ⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.0075 Ohm
Тип корпусу: SO-8
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: P
Pd ⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-висток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-висток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга ввімкнення: 2.7 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 15 A
Tj ⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qg ⓘ - Загальний заряд затвора: 51.5 nC
tr ⓘ - Час наростання: 16.5 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 945 pf
Rds ⓘ - Опір стік-виток відкритого транзизора: 0.0075 Ohm
Тип корпусу: SO-8
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 22 ₴

