Найменування приладу: STP80NF12
Маркування: P80NF12
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 300 W
Гранично допустима напруга стик-висток Uds : 120 V
Гранично допустима напруга затвор-висток Ugs : 20 V
Порогова напруга увімкнення Ugs(th) : 2 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id : 80 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 140 nC
Час наростання (tr): 145 ns
Вихідна ємність (Cd): 600 pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпусу: TO220
Маркування: P80NF12
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 300 W
Гранично допустима напруга стик-висток Uds : 120 V
Гранично допустима напруга затвор-висток Ugs : 20 V
Порогова напруга увімкнення Ugs(th) : 2 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id : 80 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 140 nC
Час наростання (tr): 145 ns
Вихідна ємність (Cd): 600 pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпусу: TO220
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 68 ₴

