Найменування приладу: CRTS084NE6N
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність (Pd): 98 W
Гранично допустима напруга стик-висток Uds : 65 V
Гранично допустима напруга затвор-висток Ugs : 25 V
Порога напруга увімкнення Ugs(th) : 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id : 85 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 72 nC
Час наростання (tr): 75 ns
Вихідна ємність (Cd): 307 pf
Опір стік-виток відкритого транзистора (Rds): 0.0084 Ohm
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність (Pd): 98 W
Гранично допустима напруга стик-висток Uds : 65 V
Гранично допустима напруга затвор-висток Ugs : 25 V
Порога напруга увімкнення Ugs(th) : 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id : 85 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 72 nC
Час наростання (tr): 75 ns
Вихідна ємність (Cd): 307 pf
Опір стік-виток відкритого транзистора (Rds): 0.0084 Ohm
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 90 ₴

