Наименование: GT50J322
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 130
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 200
Тип корпуса: TO264
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
Информация для заказа
- Цена: 204 ₴

