Модуль IGBT CM150DY-12H
1 776 ₴
- В наличии
- Код: ЖК-3/55
Модуль IGBT CM150DY-12HВ наличии
1 776 ₴
+380 (67) 298-34-55
VIBER- +380 (50) 266-55-17Приемка
Законом не предусмотрен возврат и обмен данного товара надлежащего качества
Наименование: CM150DY-12H
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 600
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 550
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 5300
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 450
Тип корпуса: MODULE
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
Информация для заказа
- Цена: 1 776 ₴