MOSFET 70S600P7 IPD70R600P7S TO-252
Наименование прибора: IPSA70R600P7S
Маркировка: 70S600P7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10.5 nC
Время нарастания (tr): 5.5 ns
Выходная емкость (Cd): 7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 54 ₴

