+380 (67) 298-34-55
+380 (50) 266-55-17
www.wintex.com.ua

Транзистор JNG50N120LS igbt+diod 100A 1200V TO-247

216 ₴

  • В наличии
  • Код: ЖК-3(21)
Транзистор JNG50N120LS igbt+diod 100A 1200V TO-247
Транзистор JNG50N120LS igbt+diod 100A 1200V TO-247В наличии
216 ₴

Компания временно не принимает заказы

Законом не предусмотрен возврат и обмен данного товара надлежащего качества

Наименование: JNG50N120LS

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 520

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 95

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 360

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 340

Тип корпуса: TO264

 

 

Характеристики
Основные
ПроизводительSAT
Информация для заказа
  • Цена: 216 ₴