Наименование: JNG50N120LS
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 520
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 95
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 360
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 340
Тип корпуса: TO264
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | SAT |
Информация для заказа
- Цена: 216 ₴

