Наименование прибора: IPD50P04P4L-11
Маркировка: 4P04L11
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 58 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 1100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0106 Ohm
Тип корпуса: TO252
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 38 ₴

