YGW60N65F1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 306
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 67.2
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 82
Тип корпуса: TO-3PN
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | SAT |
Информация для заказа
- Цена: 120 ₴

