Наименование прибора: HY3210P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 237 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 902 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220FB
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 38 ₴

