Наименование прибора: IRFB5620
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 144 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 14.6 ns
Выходная емкость (Cd): 125 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0725 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 33 ₴

