Наименование прибора: AP4506GEH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9(8) A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 18(16) ns
Выходная емкость (Cd): 100(220) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024(0.036) Ohm
Тип корпуса: TO252-4L
|
|
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 25 ₴

