Найменування приладу: SI2301DS
Маркування: A1SHB
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: P
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 1.25 W
Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 20 V
Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 8 V
Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 2.3 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Час наростання (tr): 36 ns
Вихідна ємність (Cd): 223 pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.13 Ohm
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 7 ₴

