Наименование прибора: PHD108NQ03LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 102 ns
Выходная емкость (Cd): 580 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 41 ₴

