Микросхеми FDS6688S 30V 16A so-8
14 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 250 ₴
- В наличии
- Код: СК-17(9) + ЖК-2(38)
Микросхеми FDS6688S 30V 16A so-8В наличии
14 ₴
+380 (67) 298-34-55
VIBER- +380 (50) 266-55-17Приемка
Законом не предусмотрен возврат и обмен данного товара надлежащего качества
Type Designator: FDS6688S
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Pd ⓘ - Maximum Power Dissipation: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 30 V
|Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Maximum Gate-Threshold Voltage: 3 V
|Id| ⓘ - Maximum Drain Current: 16 A
Tj ⓘ - Maximum Junction Temperature: 125 °C
Qg ⓘ - Total Gate Charge: 31 nC
tr ⓘ - Rise Time: 12 nS
Cossⓘ - Output Capacitance: 890 pF
Rds ⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.006 Ohm
Package: SO-8
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Pd ⓘ - Maximum Power Dissipation: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 30 V
|Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Maximum Gate-Threshold Voltage: 3 V
|Id| ⓘ - Maximum Drain Current: 16 A
Tj ⓘ - Maximum Junction Temperature: 125 °C
Qg ⓘ - Total Gate Charge: 31 nC
tr ⓘ - Rise Time: 12 nS
Cossⓘ - Output Capacitance: 890 pF
Rds ⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.006 Ohm
Package: SO-8
Характеристики
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 14 ₴