CSD86330Q3D
Наименование прибора: CSD86330Q3D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.8 nC
Время нарастания (tr): 7.5 ns
Выходная емкость (Cd): 350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0088 Ohm
Тип корпуса: SON3.3X3.3
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 91 ₴

