P75N02LDG NIKOS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 55 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 712 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO252
Информация для заказа
- Цена: 14 ₴

