NTD80N02 — это силовой полевой N-канальный MOSFET-транзистор [1, 2], разработанный компанией onsemi (ON Semiconductor) для низковольтных цепей с высокой скоростью переключения.
Основные технические характеристики
- Тип канала: N-канальный (N-Channel).
- Максимальное напряжение сток-исток (\(V_{DSS}\)): 24 В.
- Максимальный непрерывный ток стока (\(I_{D}\)): 80 А (при температуре корпуса \(T_C = 25^\circ\text{C}\)).
- Сопротивление открытого канала (\(R_{DS(on)}\)): 5.8 мОм (макс.) при управляющем напряжении \(V_{GS} = 10\) В.
- Пороговое напряжение затвора (\(V_{GS(th)}\)): до 3 В.
- Максимальное напряжение затвор-исток (\(V_{GS}\)): ±20 В.
- Максимальная рассеиваемая мощность (\(P_{D}\)): 75 Вт.
- Тип корпуса: TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа (версия NTD80N02-1 выпускается в корпусе TO-251 / IPAK). [1, 2, 3, 4, 5, 6]
Область применения
Компонент ориентирован на работу в следующих узлах: [1, 2]
- Импульсные блоки питания (SMPS).
- DC/DC-преобразователи.
- Контроллеры управления электродвигателями.
- Мостовые схемы коммутации питания. [1, 2]
Возможные аналоги
Если вам требуется замена данного транзистора, в качестве полных или ближайших аналогов по электрическим параметрам и типу корпуса можно рассмотреть: [1]
- STD90NH02LT4 (STMicroelectronics)
- AP85L02H (APEC)
- APM2506NU (Anpec)
- IPD06N03LA (Infineon)
- IRFR3711 (International Rectifier) [1]
Информация для заказа
- Цена: 16 ₴

