Наименование прибора: IXTH75N15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 210 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO247
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 187 ₴

