Наименование: FGA15N120ANTDTU-F109 📄📄
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 186 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8.5 V
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 143 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
Тип корпуса: TO3P
- Цена: 94 ₴

